开关电源EMI设计

作为社会工作于开关操纵状态的能量进行转换系统装置，开关电源的电压、电流发生变化率很高，产生的干扰信号强度影响较大； 干扰源主要研究集中在功率开关设计期间进展以及和之相连的散热器和高平变压器，相对于中国数字显示电路通过干扰源的位置 较为了解清楚；开关使用频率要求不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰教学形式是传导干扰和近场干扰；而印 刷线路板（PCB）走线通常可以采纳传统手工布线，具有一个更大的随意性，这增加了 PCB 分布特征参数的提取和近场 干扰估量的难度。　　1MHZ 以内----以差模干扰学生为主，增大 X 电容就可得到解决

1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采纳数据输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种方式干扰严峻超标 并解决;5M---以上以共摸干扰学生为主，采纳有效抑制共摸的方法。对于产品外壳进行接地的，在地线上用一个磁围绕 2 圈 会对 10MHZ 以上因素干扰有较大的衰减（diudiu2006）;对于 25--30MHZ 不过我们可以通过采纳企业加大技术对地 Y 电容、 在变压器外面包铜皮、改变 PCBLAYOUT、输出线以及前面接一个治理双线并绕的小磁环，最少绕 10 圈、在输 出整流管两端并 RC 滤波器。
30 --- 50MHZ一般都是高速关断所造成的增加的MOS的电阻可被驱动的MOS晶体管，采纳1N4007慢管，VCC电源电压为管中的RCD缓冲电路来解决慢1N4007。
100-200MHZ一般是由输出整流管反向恢复电流引起的，它可以在整流管上串磁珠
100mhz-200mhz 之间大多由 pfcmosfet 和 pfc 二极管组成，现在 mosfet 和 pfc 二极管串磁、珠效应、水平方向可以基本解决问题，但垂直方向很无奈

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